长鑫科技：基于 4F² 架构的第六代技术平台 DRAM 完成工程样片验证

IT之家 10 月 31 日消息，10 月 30 日，长鑫科技在第三季度业绩交流会上披露，报告期内，公司第五代工艺技术平台已进入量产阶段；在 4F² 垂直沟道 DRAM 架构取得关键进展后，第六代工艺技术平台已完成工程样片验证；LPDDR6 产品也已实现量产。

公告指出，第五代工艺技术平台是长鑫目前量产的最先进平台，当前主要推出采用 245Ball 和 496Ball 封装的 LPDDR5X 产品。未来，公司将基于该平台逐步升级现有产品线，如 DDR5、LPDDR6 等，以持续提升产品性能并丰富产品组合。同时，在 4F² 垂直沟道 DRAM 架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已顺利完成工程样片验证。

IT之家从公告获悉，第五代工艺技术平台每片晶圆的裸片产出数量相比第四代平台提升至少 50%，在产品能效和成本控制方面具有明显优势。这主要得益于第五代工艺技术平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破，从而进一步降低功耗、提升接口速度，为 LPDDR6 未来的大规模量产和商业应用提供了技术平台支持。公司目前基于第六代工艺平台开发的 4F² 架构，通过更紧凑的布局大幅缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度，为未来的工艺技术平台迭代奠定了坚实基础。

4F² 架构是该公司面向下一代前瞻技术的重要战略布局。在时间节点上，预计今年年底该公司将把采用 4F² 架构的首代 DDR5 RDIMM 产品送样；在应用方向上，将优先落地服务器等高附加值、对密度要求高的产品，随后逐步向其他品类拓展。规模量产将根据客户验证进度和市场需求情况稳步推进。

长鑫科技表示，4F² 架构采用逻辑晶圆与存储晶圆键合堆叠的方式，在产品定义上具有更大的灵活性。此外，公司自研的 VSG（垂直环绕栅极）晶体管采用垂直包围沟道结构，打通了后续节点继续微缩的路径。